型号:  AFT05MS031NR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 40 V

增益:  19 dB

输出功率:  33 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-270-2

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

工作频率:  136 MHz to 520 MHz

系列:  AFT05MS031N

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

正向跨导 - 最小值:  5.8 S

湿度敏感性:  Yes

Pd-功率耗散:  294 W

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 VDC

零件号别名:  935325665528

单位重量:  529.550 mg