型号:  AFT20S015GNR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  132 mA

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 65 V

增益:  17.6 dB

输出功率:  1.5 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-270-2

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

工作频率:  100 MHz to 3.6 GHz

系列:  AFT20S015N

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

通道数量:  1 Channel

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  11 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

零件号别名:  935314968528

单位重量:  548 mg