型号:  AFT27S012NT1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP

制造商:  NXP Semiconductors

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  154 mA

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 65 V

增益:  20.9 dB

输出功率:  1.26 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PLD-1.5W

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

工作频率:  728 MH to 2700 MHz

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP Semiconductors

通道数量:  1 Channel

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  - 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.8 V

零件号别名:  935347325515

单位重量:  280 mg