型号: AFV10700H-1090
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 105 V
增益: 19.2 dB
输出功率: 700 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-780H-4L
工作频率: 1030 MHz to 1090 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 526 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
零件号别名: 935358817598
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