型号:  ALD110900PAL

功能描述:  MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

制造商:  Advanced Linear Devices

制造商:  Advanced Linear Devices

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  PDIP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  10 V

Id-连续漏极电流:  12 mA

Rds On-漏源导通电阻:  500 Ohms, 500 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  20 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10.6 V

最小工作温度:  0 C

最大工作温度:  + 70 C

Pd-功率耗散:  500 mW

配置:  Dual

通道模式:  Depletion

封装:  Tube

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  ALD110900P

晶体管类型:  2 N-Channel

类型:  MOSFET

商标:  Advanced Linear Devices

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  10 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

单位重量:  1 g