型号: ALD1121EPAL
功能描述: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
商标: Advanced Linear Devices
Id-连续漏极电流: 3 mA
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
Rds On-漏源导通电阻: 500 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6.6 V
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 600 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
通道模式: Depletion
配置: Dual
最小工作温度: 0 C
系列: ALD1121EP
工厂包装数量: 50
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