型号: ALD1121EPAL
功能描述: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
商标: Advanced Linear Devices
Id-连续漏极电流: 3 mA
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
Rds On-漏源导通电阻: 500 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6.6 V
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 600 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
通道模式: Depletion
配置: Dual
最小工作温度: 0 C
系列: ALD1121EP
工厂包装数量: 50
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：陈经理
电话：13381306183
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：陈小姐，连先生，陈先生
电话：13760183624
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：石晓强
电话：17637265290
Q Q:
