型号: ALD212900APAL
功能描述: MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
制造商: Advanced Linear Devices
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PDIP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 10 V
Id-连续漏极电流: 79 mA
Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 10 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10.6 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
Pd-功率耗散: 500 mW
配置: Dual
通道模式: Depletion
封装: Tube
系列: ALD212900A
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Advanced Linear Devices
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 1 g
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：苏小姐
电话：13688820728
Q Q:
联系人：小郭
电话：13686402586
Q Q:
联系人：吴子平
电话：15013856736
Q Q:
