型号: AM2339P-T1
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.5A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 35mΩ @ 5.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: P沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：尹友亮
电话：18617042732
Q Q:
联系人：庄梓璇
电话：13715129950
Q Q:
联系人：谢先生
电话：19372055817
Q Q:
