型号: AM60N10-13D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 40A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 30mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.75W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李庆喜
电话：13760343841
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15361074365
Q Q:
联系人：柯
电话：15768115401
Q Q:
