型号: AO6602
功能描述:
制造商: 万和兴
标准包装: 1
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 3.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.1A, 2.7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss): 240pF @ 15V
功率 - 最大: 1.15W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: 785-1077-1
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