型号: AOE6930
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A (Tc), 85A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.3 毫欧 @ 20A, 10V, 0.83 毫欧 @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
功率 - 最大值： 24W, 75W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-DFN（5x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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