型号: AOI4N60
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14.5nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 640pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2.3 欧姆 @ 2A，10V
工作温度： -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251A
封装/外壳： TO-251-3 短截引线，IPak
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：18025372575
Q Q:
联系人：潘师傅
电话：13757510678
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
