型号: AON2392
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 25nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 840pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 50V
功率耗散（最大值）： 4.1W (Ta)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 32 毫欧 @ 8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（2x2）
封装/外壳： 8-VFDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
联系人：胡畔
电话：18588435432
Q Q:
联系人：杨宇豪
电话：18611065430
Q Q:
