型号: AON6912ALS_102
功能描述: MOSFET N-CH
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A（Ta），34A（Tc），13.8A（Ta），52A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 13.7 毫欧 @ 10A，10V，7.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 17nC @ 10V，20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 910pF @ 15V，1300pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.9W（Ta），22W（Tc），2.1W（Ta），30W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-DFN-EP（5x6）
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