型号: AON7262E
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 45nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1650pF @ 30V
功率耗散（最大值）： 5W（Ta），43W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 6.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：苗苗
电话：19925438203
Q Q:
联系人：惠
Q Q:
联系人：罗丹英
电话：13723406506
Q Q:
