型号: AON7296
功能描述: MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
制造商: AOS
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Ta），12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 415pF @ 50V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），20.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 66 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerSMD，扁平引线
封装形式Package： DFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 12.5A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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