型号: AON7400AL_101
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1380pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 7.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-DFN（3x3）
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：李兴
电话：15910331599
Q Q:
联系人：阿城
电话：15118829844
Q Q:
联系人：李杰
电话：021-55128778
Q Q:
