型号: AOT15S60L
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 15.6nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 372pF @ 100V
功率耗散（最大值）： 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 290 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：林生
电话：13725502818
Q Q:
联系人：詹R
电话：0755-6546516
Q Q:
联系人：王显建
电话：13340963609
Q Q:
