型号: APT1001RSVRG
功能描述:
制造商:
标准包装: 30
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: POWER MOS V®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3660pF @ 25V
功率 - 最大: 280W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装: D3 [S]
包装: 管件
联系人：赵军
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