型号: APT1003RBLLG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 34nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 694pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247 [B]
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13798416609
Q Q:
联系人：张顺方
电话：15099977019
Q Q:
联系人：张梓洋
电话：15986789713
Q Q:
