型号:  APT10M11JVRU3

功能描述:  分立半导体模块 Power Module - Mosfet

制造商:  Microsemi

制造商:  Microchip

产品种类:  分立半导体模块

RoHS:  是

产品:  Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

安装风格:  Screw Mount

封装 / 箱体:  SOT-227-4

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

封装:  Tube

配置:  Single

高度:  9.6 mm

长度:  38.2 mm

宽度:  25.4 mm

商标:  Microchip / Microsemi

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

下降时间:  9 ns

Id-连续漏极电流:  142 A

Pd-功率耗散:  450 W

产品类型:  Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

上升时间:  48 ns

工厂包装数量:  1

子类别:  Discrete Semiconductor Modules

商标名:  POWER MOS V, ISOTOP

典型关闭延迟时间:  51 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

单位重量:  30 g