型号: APT12060B2VFRG
功能描述:
制造商:
标准包装: 30
类别: 分离式半导体产品
家庭: FET - 单
系列: POWER MOS V®
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 650nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9500pF @ 25V
功率 - 最大: 625W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
供应商设备封装: T-MAX? [B2]
包装: 管件
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：彭小姐
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Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：曾凯
电话：13312958426
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联系人：王俊杰
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Q Q:
