型号: APT35GP120B2DQ2G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APT35GP120B2DQ2(G) Power Products Catalog
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： POWER MOS 7®
包装： 管件
IGBT 类型： PT
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 96A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 140A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 3.9V @ 15V，35A
功率 - 最大值： 543W
开关能量： 750µJ（开），680µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 150nC
25°C 时 Td（开/关）值： 16ns/95ns
测试条件： 600V，35A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-247-3 变式
安装类型： 通孔
供应商器件封装： *
其它名称： APT35GP120B2DQ2GMIAPT35GP120B2DQ2GMI-ND
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