型号: APT40SM120J
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA(标准)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 130nC @ 20V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2560pF @ 1000V
功率耗散(最大值): 165W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 100 毫欧 @ 20A,20V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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