型号: APT45GR65B2DU30
功能描述:
制造商: Microsemi
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 118A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 224A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,45A
功率 - 最大值: 543W
输入类型: 标准
栅极电荷: 203nC
25°C 时 Td(开/关)值: 15ns/100ns
测试条件: 433V,45A,4.3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 80ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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