型号: APT45GR65B2DU30
功能描述:
制造商: Microsemi
IGBT 类型： NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 118A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 224A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.4V @ 15V，45A
功率 - 最大值： 543W
输入类型： 标准
栅极电荷： 203nC
25°C 时 Td（开/关）值： 15ns/100ns
测试条件： 433V，45A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 80ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： T-MAX™ [B2]
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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