型号: APT5010JLLU2
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 96nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4360pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 378W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 23A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
供应商器件封装： SOT-227
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：刘蒙
电话：18098958123
Q Q:
联系人：陈宇婷
电话：18702016302
Q Q:
联系人：欧阳
电话：151112997909
Q Q:
