型号: APT50GS60BRDLG
功能描述:
制造商: Microsemi
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 93A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 195A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 3.15V @ 15V,50A
功率 - 最大值: 415W
开关能量: 755µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 235nC
25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/225ns
测试条件: 400V,50A,4.7 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
联系人:李先生
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