型号: APT60GA60JD60
功能描述: IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 112 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 356 W
封装 / 箱体: SOT-227-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 30 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量: 30 g
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