型号: APT64GA90LD30
功能描述: IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-264-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 117 A
Pd-功率耗散: 500 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 117 A
高度: 5.21 mm
长度: 26.49 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 20.5 mm
商标: Microchip / Microsemi
集电极连续电流: 117 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: POWER MOS 8
单位重量: 10.600 g
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