型号: APT80GP60JDQ3
功能描述: IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 151 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 462 W
封装 / 箱体: ISOTOP-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 30 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
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