型号: APT8M100B
功能描述: MOSFET Power MOSFET - MOS8
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.53 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 290 W
通道模式: Enhancement
商标名: POWER MOS 8
封装: Tube
高度: 5.31 mm
长度: 21.46 mm
宽度: 16.26 mm
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 7.5 S
下降时间: 7.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.8 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 8.5 ns
单位重量: 38 g
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