型号: APT94N65B2C6
功能描述: MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: T-MAX-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 94 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 320 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 833 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
宽度: 5.31 mm
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: -
下降时间: 172 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 59 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 323 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：潘师傅
电话：13757510678
Q Q:
联系人：董伟
电话：13813937013
Q Q:
联系人：夏
电话：18929357750
Q Q:
