型号: APTGT35A120T1G
功能描述: IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 208 W
封装 / 箱体: SP1-12
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 100 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 80 g
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