型号: APTGT50H60RT3G
功能描述: IGBT 模块 Power Module - IGBT
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
Pd-功率耗散: 176 W
封装 / 箱体: SP3-32
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 100 C
封装: Tube
商标: Microchip / Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
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