型号: APTM100DA18T1G
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 570nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 14800pF @ 25V
功率耗散(最大值): 657W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 216 毫欧 @ 33A,10V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SP1
封装/外壳: SP1
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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