型号: APTM100SK18TG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 372nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10400pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 780W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 210 毫欧 @ 21.5A，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
供应商器件封装： SP4
封装/外壳： SP4
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：朱林
电话：19520636341
Q Q:
联系人：大师兄
电话：0755-9855678
Q Q:
联系人：段小姐
Q Q:
