型号: APTM10DHM09TG
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装: 1
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 模块
系列: -
包装: 散装
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 139A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 10 毫欧 @ 69.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 350nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 9875pF @ 25V
功率 - 最大值: 390W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP4
供应商器件封装: SP4
联系人:连
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