型号: APTM120DA30T1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTM120DA30T1G Power Products Catalog
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 560nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 14560pF @ 25V
功率 - 最大值： 657W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：Alien
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联系人：朱小姐
电话：13725570869
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联系人：李先生
电话：18822854608
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联系人：苏先生
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联系人：丰先生
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Q Q:
