型号: APTM120DA30T1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
数据列表： APTM120DA30T1G Power Products Catalog
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： -
包装： 散装
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 560nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 14560pF @ 25V
功率 - 最大值： 657W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
供应商器件封装： SP1
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：胡畔
电话：18588435432
Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
