型号: APTM120DDA57T3G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 模块
系列： -
包装： 散装
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 684 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 187nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5155pF @ 25V
功率 - 最大值： 390W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP3
供应商器件封装： SP3
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