型号: APTM50H14FT3G
功能描述: 分立半导体模块 Power Module - Mosfet
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 是
产品: Power MOSFET Modules
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SP-32
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
配置: Single
高度: 11.5 mm
长度: 73.4 mm
宽度: 40.8 mm
商标: Microchip / Microsemi
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 41 ns
Id-连续漏极电流: 26 A
Pd-功率耗散: 208 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 1
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: POWER MOS 7
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
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Q Q:
联系人：赵小姐
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