型号: APTMC120AM20CT1AG
功能描述: Phase leg 1200V 17mOhm 360nC Power Module MOSFET-SP-1
制造商: Microsemi
FET类型： 2 N 沟道（相角）
FET功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2KV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 143A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 17 毫欧 @ 100A，20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 2mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 360nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5960pF @ 1000V
功率-最大值： 600W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP1
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1200V
连续漏极电流ID： 102A
无铅情况/RoHs： 否
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