型号: APTMC120TAM12CTPAG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： 6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2KV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 220A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 150A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 30mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 483nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8400pF @ 1000V
功率 - 最大值： 925W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP6
供应商器件封装： SP6-P
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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