型号: ARF466BG
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
制造商: Microchip / Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 13 A
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
增益: 16 dB
输出功率: 300 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
工作频率: 45 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值: 3.3 mS
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 357 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
单位重量: 38 g
联系人：肖瑶，树平
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