型号: AUIRF1010EZSTRL
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 86nC
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2810pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8.5 毫欧 @ 51A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D2PAK
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 44A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 140W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: CutTape
高度: 4.4mm
长度: 10mm
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 9.25mm
下降时间: 54ns
上升时间: 90ns
典型关闭延迟时间: 38ns
典型接通延迟时间: 19ns
封装/外壳: TO-263-3
Vds-漏源极击穿电压: 60V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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