型号: AUIRF7669L2TR1
功能描述: MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
制造商: International Rectifier
制造商: International Rectifier
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 114 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-15
封装: Reel
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single Octal Source Dual Drain
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
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