型号:  AUIRFP4409

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4409, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  TO247

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  300V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  38A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  69 毫欧 @ 24A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  125nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5168pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  341W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  TO-247AC

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  38 A

最大漏源电压：  300 V

最大漏源电阻值：  0.069 0hms

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-247

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  341 W

正向跨导：  45S

每片芯片元件数目：  1

正向二极管电压：  1.3V

尺寸：  21.1 x 5.2 x 16.13mm

长度：  21.1mm

典型栅极电荷@Vgs：  83 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  5168 pF @ 50 V

典型关断延迟时间：  34 ns

典型接通延迟时间：  18 ns

宽度：  5.2mm

系列：  HEXFET

高度：  16.13mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

晶体管材料：  Si

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs