型号:  BC856B RF

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW

制造商:  Taiwan Semiconductor

制造商:  Taiwan Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 65 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 5 V

集电极—射极饱和电压:  - 0.65 V

最大直流电集电极电流:  - 0.1 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:  475

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

商标:  Taiwan Semiconductor

集电极连续电流:  - 0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  220

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  1.438 g