型号: BC859CLT3
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 100 MHz (Min)
最大工作温度: + 150 C
商标: Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 420 at 2 mA at 5 V
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 300 mW
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