型号: BCR112E6327HTSA1
功能描述: BCR112 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型： NPN - 预偏压
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）： 4.7k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 20 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 300mV @ 500µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
频率-跃迁： 140MHz
功率-最大值： 200mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT23
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： NPN
集电极最大允许电流Ic： 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
电阻器 - 基底（R1）： 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）： 4.7 kOhms
供应商器件封装： SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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