型号:  BCR116E6327HTSA1

功能描述:  BCR116 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN - 预偏压

电阻器-基底（R1）（欧姆）：  4.7k

电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）：  47k

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  70 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  300mV @ 500µA，10mA

电流-集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

频率-跃迁：  150MHz

Power-Max：  200mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT23

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  NPN

集电极最大允许电流Ic：  100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO：  50V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

电阻器 - 基底（R1）：  4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：  47 kOhms

功率 - 最大值：  200mW

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs